Baru -baru ini, Laboratorium Jiufengshan mencapai terobosan teknologi yang signifikan di bidang bahan indium fosfide (INP), berhasil mengembangkan proses pertumbuhan epitaxial untuk 6 - inp inp - detektor struktur pin berbasis dan laser struktur FP. Indikator kinerja utama telah mencapai tingkat terkemuka internasional. Prestasi ini menandai pencapaian domestik pertama di bidang produksi material INP skala besar, mencapai aplikasi terkoordinasi dari peralatan inti hingga bahan utama, memberikan dukungan penting untuk pengembangan industri perangkat optoelektronik.
Sebagai bahan inti dalam komunikasi optik, komputasi kuantum, dan bidang lainnya, aplikasi industri INP telah lama menghadapi kemacetan teknis dalam produksi skala besar - besar. Proses arus utama industri tetap pada tahap 3 inci, dan biaya tinggi membuatnya tidak dapat memenuhi pertumbuhan ledakan aplikasi industri hilir.
Memanfaatkan peralatan MOCVD domestik dan teknologi substrat INP, laboratorium Jiufengshan telah mengatasi tantangan mengendalikan keseragaman epitaxial skala {{0} skala besar dan struktur lonuma inci dan struktur lonuma inci. Indikator kinerja utama telah mencapai tingkat terkemuka internasional, meletakkan fondasi untuk produksi skala besar chip optik indium fosfide (INP) 6 inci.
Properti Material:
• FP Laser Quantum Well PL Emisi Panjang Gelombang di dalam chip memiliki in - standar deviasi chip dari<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• Konsentrasi latar belakang material detektor pin adalah<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11.000 cm²/v · s.
Tim Proses Epitaxial Laboratorium Jiufengshan
Terhadap perkembangan cepat industri optoelektronika global, permintaan untuk indium fosfide (INP) dalam komunikasi optik, lidar, komunikasi terahertz, dan bidang lainnya mengalami pertumbuhan eksplosif. Menurut Yole Développement, Pasar Optoelektronika INP diperkirakan akan mencapai US $ 5,6 miliar pada tahun 2027, dengan tingkat pertumbuhan tahunan gabungan (CAGR) sebesar 14%. Terobosan dalam proses indium fosfide (INP) 6-inci diharapkan dapat mengurangi biaya chip optik domestik hingga 60% -70% dari proses 3 inci, membantu meningkatkan daya saing pasar chip optik domestik.
